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IXTA5N60P PDF预览

IXTA5N60P

更新时间： 2024-11-18 20:07:23
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 119K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

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IXTA5N60P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：TO-263, 3 PIN针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.82
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：360 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：5 A
最大漏源导通电阻：1.7 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Pure Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTA5N60P 数据手册

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PolarHVTM  
Power MOSFET  
VDSS = 600  
V
IXTA 5N60P  
IXTP 5N60P  
ID25 5 A  
=
RDS(on) ≤ 1.7  
Ω
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Symbol  
VDSS  
VDGR  
Test Conditions  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C; RGS = 1 MΩ  
Maximum Ratings  
TO-263 (IXTA)  
600  
600  
V
V
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
G
S
(TAB)  
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
5
10  
A
A
TO-220 (IXTP)  
IAR  
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
5
20  
360  
A
mJ  
mJ  
(TAB)  
G
D
S
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/μs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 18 Ω  
,
10  
V/ns  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
TC = 25°C  
100  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 s  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
Mounting torque  
(TO-220)  
1.13/10 Nm/lb.in.  
Weight  
TO-220  
TO-263  
4
3
g
g
Features  
z International standard packages  
z Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
z Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 μA  
VDS = VGS, ID = 50μA  
VGS = 30 V, VDS = 0 V  
600  
V
V
Advantages  
3.0  
5.5  
z
Easy to mount  
Space savings  
100  
nA  
z
z
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
5
50  
μA  
μA  
High power density  
TJ = 125°C  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
1.7  
Ω
Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %  
DS99426E(04/06)  
© 2006 IXYS All rights reserved  
1234

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