是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 8.46 | Samacsys Confidence: | 4 |
Samacsys Status: | Released | Samacsys PartID: | 12289937 |
Samacsys Pin Count: | 3 | Samacsys Part Category: | MOSFET (N-Channel) |
Samacsys Package Category: | Other | Samacsys Footprint Name: | TO-263HV * |
Samacsys Released Date: | 2020-02-15 00:15:00 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 500 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 60 A |
最大漏极电流 (ID): | 60 A | 最大漏源导通电阻: | 0.018 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 176 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 180 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA60N10T-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA60N20T | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers Avalanche Rated | |
IXTA60N20T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTA60N20T-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA62N15P | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET | |
IXTA62N15P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTA64N10L2 | IXYS |
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N-Channel Power MOSFET | |
IXTA64N10L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正 | |
IXTA64N10L2_V01 | IXYS |
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N-Channel Power MOSFET | |
IXTA6N100D2 | IXYS |
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Preliminary Technical Information Depletion Mode MOSFET |