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力特 - LITTELFUSE | ![]() |
栅 |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 164K | ![]() |
描述 | ||
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围(从-40 °C到175 °C),这些产品非常适合汽车应用以及其他处 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA60N20T-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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IXTA62N15P | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET |
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IXTA62N15P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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IXTA64N10L2 | IXYS |
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N-Channel Power MOSFET |
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IXTA64N10L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正 |
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IXTA64N10L2_V01 | IXYS |
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N-Channel Power MOSFET |
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IXTA6N100D2 | IXYS |
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Preliminary Technical Information Depletion Mode MOSFET |
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IXTA6N100D2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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IXTA6N100D2HV | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 |
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IXTA6N100D2-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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