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力特 - LITTELFUSE | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 197K | |
描述 | ||
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围(从-40 °C到175 °C),这些产品非常适合汽车应用以及其他处 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA5N50P | IXYS |
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PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode | |
IXTA5N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTA5N60P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
IXTA5N60P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTA60N10T | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTA60N10T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTA60N10T-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA60N20T | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers Avalanche Rated | |
IXTA60N20T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTA60N20T-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |