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IXTA5N50P

更新时间： 2024-11-04 22:47:59
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IXYS /
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5页 101K
描述
PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode

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IXTA5N50P 数据手册

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Advance Technical Information  
PolarHVTM  
Power MOSFET  
VDSS = 500 V  
ID25 = 4.8 A  
RDS(on) ≤ 1.4 Ω  
IXTA 5N50P  
IXTP 5N50P  
IXTY 5N50P  
N-Channel Enhancement Mode  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-263 (IXTA)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
500  
500  
V
V
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
G
S
(TAB)  
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
4.8  
10  
A
A
TO-220 (IXTP)  
IAR  
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
5
20  
250  
A
mJ  
mJ  
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/μs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 20 Ω  
,
10  
V/ns  
(TAB)  
G
D
S
TC = 25°C  
89  
W
TO-252 (IXTY)  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
G
TL  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Maximum tab temperature for soldering  
TO-263 package for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
S
(TAB)  
Md  
Mounting torque  
(TO-220)  
1.13/10 Nm/lb.in.  
Weight  
TO-220  
TO-263  
TO-252  
4
3
0.8  
g
g
g
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
Features  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
z International standard packages  
z Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
z Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
VDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 μA  
VDS = VGS, ID = 50μA  
VGS = 30 VDC, VDS = 0  
500  
V
V
3.0  
5.0  
100  
nA  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
5
50  
μA  
μA  
Advantages  
TJ = 125°C  
z
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
1.4  
Ω
z
Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %  
z
DS99446(08/05)  
© 2005 IXYS All rights reserved  
12345

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IXTA5N50P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTU5N50P IXYS

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP5N50P IXYS

完全替代

 PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
IXTY5N50P IXYS

功能相似

 PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode

与IXTA5N50P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTA5N60P IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTA5N60P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA60N10T IXYS

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA60N10T LITTELFUSE

获取价格

 		沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA60N10T-TRL IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA60N20T IXYS

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers Avalanche Rated
IXTA60N20T LITTELFUSE

获取价格

 		沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA60N20T-TRL IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA62N15P IXYS

获取价格

 		PolarHT Power MOSFET
IXTA62N15P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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