5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXTA5N50P
IXTA5N50P PDF预览

IXTA5N50P

更新时间： 2024-09-23 22:47:59
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
5页 101K
描述
PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXTA5N50P 数据手册

 浏览型号IXTA5N50P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTA5N50P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTA5N50P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTA5N50P的Datasheet PDF文件第5页 
Advance Technical Information  
PolarHVTM  
Power MOSFET  
VDSS = 500 V  
ID25 = 4.8 A  
RDS(on) ≤ 1.4 Ω  
IXTA 5N50P  
IXTP 5N50P  
IXTY 5N50P  
N-Channel Enhancement Mode  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-263 (IXTA)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
500  
500  
V
V
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
G
S
(TAB)  
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
4.8  
10  
A
A
TO-220 (IXTP)  
IAR  
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
5
20  
250  
A
mJ  
mJ  
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/μs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 20 Ω  
,
10  
V/ns  
(TAB)  
G
D
S
TC = 25°C  
89  
W
TO-252 (IXTY)  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
G
TL  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Maximum tab temperature for soldering  
TO-263 package for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
S
(TAB)  
Md  
Mounting torque  
(TO-220)  
1.13/10 Nm/lb.in.  
Weight  
TO-220  
TO-263  
TO-252  
4
3
0.8  
g
g
g
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
Features  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
z International standard packages  
z Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
z Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
VDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 μA  
VDS = VGS, ID = 50μA  
VGS = 30 VDC, VDS = 0  
500  
V
V
3.0  
5.0  
100  
nA  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
5
50  
μA  
μA  
Advantages  
TJ = 125°C  
z
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
1.4  
Ω
z
Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %  
z
DS99446(08/05)  
© 2005 IXYS All rights reserved  
12345

中文翻译

下载PDF

IXTA5N50P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTU5N50P IXYS

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP5N50P IXYS

完全替代

 PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
IXTY5N50P IXYS

功能相似

 PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode

与IXTA5N50P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTA5N60P IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTA5N60P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA60N10T IXYS

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA60N10T LITTELFUSE

获取价格

 		沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA60N10T-TRL IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA60N20T IXYS

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers Avalanche Rated
IXTA60N20T LITTELFUSE

获取价格

 		沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA60N20T-TRL IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA62N15P IXYS

获取价格

 		PolarHT Power MOSFET
IXTA62N15P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

与IXTA5N50P相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证