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IXTP4N45A PDF预览

IXTP4N45A

更新时间： 2024-02-16 18:41:38

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	1093K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-220AB

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IXTP4N45A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.9	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)

IXTP4N45A 数据手册

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与IXTP4N45A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTP4N50	IXYS	4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm	获取价格
IXTP4N50A	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,	获取价格
IXTP4N50A	IXYS	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,	获取价格
IXTP4N60	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-220AB	获取价格
IXTP4N60A	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,	获取价格
IXTP4N60P	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o	获取价格

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