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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXTP44N10T
IXTP44N10T PDF预览

IXTP44N10T

更新时间： 2024-11-18 12:26:19
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
5页 192K
描述
TrenchMV™ Power MOSFET

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IXTP44N10T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：4.44Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：250 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：44 A
最大漏极电流 (ID)：44 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTP44N10T 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TrenchMVTM  
Power MOSFET  
IXTP44N10T  
IXTY44N10T  
VDSS = 100  
ID25 = 44  
RDS(on) ≤ 30 mΩ  
V
A
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-220 (IXTP)  
D (TAB)  
G
D
S
TO-252 AA (IXTY)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25° C to 175° C  
TJ = 25° C to 175° C; RGS = 1 MΩ  
100  
100  
V
V
G
VGSM  
Transient  
30  
V
S
D (TAB)  
ID25  
IL  
IDM  
TC = 25° C  
44  
25  
140  
A
A
A
Package Current Limit, RMS  
TO-252A  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TC = 25° C, pulse width limited by TJM  
TAB = Drain  
IAR  
EAS  
TC = 25° C  
TC = 25° C  
10  
250  
A
mJ  
dv/dt  
PD  
IS ≤IDM, di/dt ≤100 A/µs, VDD ≤VDSS  
TJ ≤175° C, RG = 18 Ω  
3
V/ns  
Features  
ꢀUltra-low On Resistance  
ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
TC = 25° C  
130  
W
ꢀLow package inductance  
- easy to drive and to protect  
ꢀ175 ° C Operating Temperature  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-40 ... +175  
°C  
°C  
°C  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
ꢀ
Easy to mount  
Space savings  
ꢀ
Md  
Mounting torque (TO-220)  
1.13 / 10 Nm/lb.in.  
ꢀ
High power density  
Weight  
TO-220  
TO-252  
3
0.8  
g
g
Applications  
ꢀ
Automotive  
- Motor Drives  
- 42V Power Bus  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
- ABS Systems  
(TJ = 25° C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
ꢀ
DC/DC Converters and Off-line UPS  
Primary Switch for 24V and 48V  
Systems  
Distributed Power Architechtures  
and VRMs  
Electronic Valve Train Systems  
High Current Switching  
Applications  
ꢀ
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 25 µA  
85  
V
V
ꢀ
2.5  
4.5  
VGS  
=
20 V, VDS = 0 V  
100  
nA  
ꢀ
ꢀ
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
1
100  
µA  
µA  
TJ = 150° C  
ꢀ
High Voltage Synchronous Recifier  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 22 A, Notes 1, 2  
22  
30 m Ω  
DS99646 (11/06)  
© 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved  
12345

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