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IXTK128N15

更新时间： 2024-01-30 15:34:29

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2页	82K
描述
High Current Mega MOS FET

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IXTK128N15 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	TO-264AA, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (ID)：	128 A
最大漏源导通电阻：	0.015 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	512 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTK128N15 数据手册

Advance Technical Information

IXTK 128N15

V_DSS

I_D25

= 150 V

= 128 A

High Current

Mega MOS^TMFET

R_DS(on)= 15 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

TO-264 AA (IXTK)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

150

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_D(RMS)

I_DM

T_C= 25°C MOSFET chip capability

External lead current limit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

128

512

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

2.5

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

P_D

T_C= 25°C

540

ꢀ

International standard package

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Fast switching times

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

ꢀ

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

Applications

M_d

0.7/6 Nm/lb.in.

Weight

TO-264

ꢀ

Motor controls

DC choppers

Switched-mode power supplies

ꢀ

Advantages

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

ꢀ

Easy to mount with one screw

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

(isolated mounting screw hole)

ꢀ

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

V_GS= ±20 V DC, V_DS= 0

V_DS= V_DSS

150

Space savings

High power density

ꢀ

2.0

4.0

±100

I_DSS

T_J= 25°C

T_J= 125°C

µA

_GS= 0 V

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

R_DS(on)

15 mΩ

DS98952(03/03)

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IXTK128N15 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTQ120N15P	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与IXTK128N15相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTK140N20P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTK140N20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTK140N30P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 300V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTK140N30P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTK150N15P	IXYS	获取价格	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTK150N15P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTK160N20	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 200V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTK160N20	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 200V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTK170N10P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTK170P10P	LITTELFUSE	获取价格	Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(

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