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力特 - LITTELFUSE | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 257K | |
描述 | ||
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(ON)极低,因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围(从-40 °C到175 °C),这些产品非常适合汽车应用以及其他处 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTP76N25T | IXYS |
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Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
IXTP76N25T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(ON)极低,因此确保了非常低 | |
IXTP76P10T | IXYS |
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TrenchP Power MOSFETs | |
IXTP76P10T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用,这些应用可采用简单的接地参考驱 | |
IXTP7N45 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB | |
IXTP7N45A | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXTP7N50 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB | |
IXTP7N50A | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXTP7N60P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
IXTP7N60P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |