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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP70N075T2 | IXYS |
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DC to DC Synchronous Converter Design |
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| IXTP70N075T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXTP75N10P | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTP75N10P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTP76N075T | IXYS |
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Preliminary Technical Information N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTP76N075T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTP76N25T | IXYS |
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Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTP76N25T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTP76P10T | IXYS |
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TrenchP Power MOSFETs |
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| IXTP76P10T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱 |
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