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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 67 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTZ67N10MB | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 67A I(D) | Z-PAC |
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| IXUC100N055 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXUC120N10 | IXYS |
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Trench Power MOSFET ISOPLUS220 |
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| IXUC160N075 | IXYS |
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Trench Power MOSFET |
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| IXUC200N055 | IXYS |
获取价格 |
Trench Power MOSFET ISOPLUS220 |
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| IXUC60N10 | IXYS |
获取价格 |
Trench Power MOSFET ISOPLUS220-TM |
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| IXUN280N10 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 280A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXUN350N10 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 350A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IXUV170N075 | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXUV170N075S | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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