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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | ISOPLUS220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 75 V | 最大漏极电流 (ID)： | 160 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0065 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXUC200N055 | IXYS |
获取价格 |
Trench Power MOSFET ISOPLUS220 |
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| IXUC60N10 | IXYS |
获取价格 |
Trench Power MOSFET ISOPLUS220-TM |
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| IXUN280N10 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 280A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXUN350N10 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 350A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IXUV170N075 | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXUV170N075S | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
|
| IXWW11-AL | IXYS |
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Silicon Chip Resistors |
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| IXWW13-AL | IXYS |
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Silicon Chip Resistors |
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| IXWW14-AL | IXYS |
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Silicon Chip Resistors |
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| IXWW22-AL | IXYS |
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Silicon Chip Resistors |
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