是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Lifetime Buy | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.76 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 60 A |
最大漏极电流 (ID): | 60 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0164 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 150 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 35 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXUN280N10 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 280A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXUN350N10 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 350A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
IXUV170N075 | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXUV170N075S | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXWW11-AL | IXYS |
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Silicon Chip Resistors | |
IXWW13-AL | IXYS |
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Silicon Chip Resistors | |
IXWW14-AL | IXYS |
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Silicon Chip Resistors | |
IXWW22-AL | IXYS |
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Silicon Chip Resistors | |
IXWW25-AL | IXYS |
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Silicon Chip Resistors | |
IXWW27-AL | IXYS |
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Silicon Chip Resistors |