是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Lifetime Buy | 零件包装代码: | TO-273AA |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.7 | 雪崩能效等级(Eas): | 500 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 55 V | 最大漏极电流 (ID): | 100 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0077 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-273AA | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 35 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STP60NF06 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220F | |
STP55NF06 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220 | |
STP80NF10 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXUC120N10 | IXYS |
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Trench Power MOSFET ISOPLUS220 | |
IXUC160N075 | IXYS |
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Trench Power MOSFET | |
IXUC200N055 | IXYS |
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Trench Power MOSFET ISOPLUS220 | |
IXUC60N10 | IXYS |
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Trench Power MOSFET ISOPLUS220-TM | |
IXUN280N10 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 280A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXUN350N10 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 350A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
IXUV170N075 | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXUV170N075S | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXWW11-AL | IXYS |
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Silicon Chip Resistors | |
IXWW13-AL | IXYS |
获取价格 |
Silicon Chip Resistors |