Datasheet > IXTY2N60P

IXTY2N60P

更新时间： 2024-11-06 14:56:55

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	275K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件纳入了Polar技术平台，以实现低导通电阻（RDS(ON)）。 Polar标准M

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTY2N60P 数据手册

Polar^TM

Power MOSFET

IXTY2N60P

IXTP2N60P

V_DSS= 600V

I_D25= 2A

R_DS(on) 5.1

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220 (IXTP)

T_J= 25C to 150C

600

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

I_A

T_C= 25C

E_AS

150

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

Features

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg



International Standard Packages

Low Q_G



-55 ... +150

Avalanche Rated

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in

Advantages

Weight

TO-252

TO-220

0.35

3.00



High Power Density

Easy to Mount



Space Savings

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



DC-DC Converters

Switch-Mode and Resonant-Mode

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



Power Supplies

AC and DC Motor Drives

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 25μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

600





Discharge Circiuts in Lasers, Spark

Igniters, RF Generators

3.0

5.0



50 nA

A



Robotics and Servo Controls

I_DSS

T_J= 125C

50 A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

5.1



DS99422G(6/17)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXTY2N60P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY2N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY2N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY2N80P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
IXTY2P50PA	LITTELFUSE	获取价格	IXTY2P50PA是一款通过AEC-Q101认证并符合PPAP要求的-500 V、-2
IXTY2R4N50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 500V, 3.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTY2R4N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY32P05T	IXYS	获取价格	TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTY32P05T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTY3N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET
IXTY3N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

与IXTY2N60P相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTY2N60P

IXTY2N60P 数据手册

与IXTY2N60P相关器件

与IXTY2N60P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTY2N60P

IXTY2N60P 数据手册

与IXTY2N60P相关器件

与IXTY2N60P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？