是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-252AA |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.83 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 150 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2 A |
最大漏极电流 (ID): | 2 A | 最大漏源导通电阻: | 5.1 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 55 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 4 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTY2N65X2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTY2N65X2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTY2N80P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o | |
IXTY2P50PA | LITTELFUSE |
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IXTY2P50PA是一款通过AEC-Q101认证并符合PPAP要求的-500 V、-2 | |
IXTY2R4N50P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 500V, 3.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTY2R4N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTY32P05T | IXYS |
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TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTY32P05T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用,这些应用可采用简单的接地参考驱 | |
IXTY3N50P | IXYS |
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PolarHV Power MOSFET | |
IXTY3N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |