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IXTY2N60P

更新时间： 2024-11-18 03:12:59

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描述
PolarHV Power MOSFET

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IXTY2N60P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	5.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	55 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	4 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTY2N60P 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXTP 2N60P

IXTY 2N60P

V_DSS= 500 V

I_D252 A

R_DS(on)≤ 5.1 Ω

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

V_DSS

V_DGR

Test Conditions

T_J= 25° C to 150° C

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

Maximum Ratings

TO-220 (IXTP)

600

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

I_AR

E_AR

E_AS

T_C=25° C

150

TO-252 AA (IXTY)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 50 Ω

V/ns

T_C=25° C

(TAB)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

M_d

Mounting torque

(TO-220)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-252

0.8

Features

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 25 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

V_GS= 30 V, V_DS= 0 V

600

3.0

5.0

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

µA

Easy to mount

Space savings

High power density

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

5.1

Ω

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99422E(04/06)

12 3 4

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