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IXTY2R4N50P

更新时间： 2024-11-06 14:56:23
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
6页 280K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。 这些器件纳入了Polar技术平台，以实现低导通电阻（RDS(ON)）。 Polar标准M

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PolarTM  
Power MOSFET  
IXTY2R4N50P  
IXTP2R4N50P  
VDSS = 500V  
ID25 = 2.4A  
RDS(on) 3.75  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-252 (IXTY)  
G
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-220 (IXTP)  
TJ = 25C to 150C  
500  
500  
V
V
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
G
D
D (Tab)  
S
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
2.4  
4.5  
A
A
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
Tab = Drain  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
2.4  
A
EAS  
100  
mJ  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
10  
56  
V/ns  
W
Features  
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
International Standard Packages  
Low QG  
-55 ... +150  
Avalanche Rated  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Low Package Inductance  
Fast Intrinsic Rectifier  
Md  
Mounting Torque (TO-220)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in  
Advantages  
Weight  
TO-252  
TO-220  
0.35  
3.00  
g
g
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
DC-DC Converters  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
Power Supplies  
AC and DC Motor Drives  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 25μA  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
500  
V
V
Discharge Circiuts in Lasers, Spark  
Igniters, RF Generators  
3.0  
5.5  
  
50 nA  
A  
High Voltage Pulse Power  
Applications  
IDSS  
1
TJ = 125C  
50 A  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
3.75  
DS99445F(6/17)  
© 2017 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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