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IXTY2R4N50P

更新时间： 2024-11-18 14:56:23

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	280K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件纳入了Polar技术平台，以实现低导通电阻（RDS(ON)）。 Polar标准M

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Polar^TM

Power MOSFET

IXTY2R4N50P

IXTP2R4N50P

V_DSS= 500V

I_D25= 2.4A

R_DS(on) 3.75

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220 (IXTP)

T_J= 25C to 150C

500

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

2.4

4.5

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

I_A

T_C= 25C

2.4

E_AS

100

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

Features

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg



International Standard Packages

Low Q_G



-55 ... +150

Avalanche Rated

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in

Advantages

Weight

TO-252

TO-220

0.35

3.00



High Power Density

Easy to Mount



Space Savings

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



DC-DC Converters

Switch-Mode and Resonant-Mode

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



Power Supplies

AC and DC Motor Drives

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 25μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

500





Discharge Circiuts in Lasers, Spark

Igniters, RF Generators

3.0

5.5



50 nA

A



High Voltage Pulse Power

Applications

I_DSS

T_J= 125C

50 A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

3.75



DS99445F(6/17)

12 3 4 5 6

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与IXTY2R4N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY32P05T	IXYS	获取价格	TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTY32P05T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTY3N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET
IXTY3N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY3N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTY3N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY44N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET
IXTY44N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTY44N10T-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY48P05T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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