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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 258K | |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor, |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.75 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTY2N80P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o | |
IXTY2P50PA | LITTELFUSE |
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IXTY2P50PA是一款通过AEC-Q101认证并符合PPAP要求的-500 V、-2 | |
IXTY2R4N50P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 500V, 3.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTY2R4N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTY32P05T | IXYS |
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TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTY32P05T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用,这些应用可采用简单的接地参考驱 | |
IXTY3N50P | IXYS |
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PolarHV Power MOSFET | |
IXTY3N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTY3N60P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
IXTY3N60P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |