IXTY1N80

更新时间： 2024-11-05 11:08:11

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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2页	62K
描述
High Voltage MOSFET

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IXTY1N80 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	0.75 A
最大漏源导通电阻：	11 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	3 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTY1N80 数据手册

IXTA 1N80

IXTP 1N80

IXTY1N80

V_DSS

I_D25

R_DS(on)= 11

= 800

= 750 mA

High Voltage MOSFET

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheEnergyRated

Ω

Preliminary Data

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-220AB(IXTP)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

800

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

D (TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

750

TO-263AA(IXTA)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_AR

1.0

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

D (TAB)

100

TO-252 AA (IXTY)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 47 Ω

V/ns

P_D

T_C= 25°C

T_J

-55 ... +150

150

°C

D (TAB)

T_JM

T_stg

-55 ... +150

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-252

TO-263

0.8

Features

!International standard packages

!High voltage, Low R_{DS (on)}HDMOS^TM

process

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

!Rugged polysilicon gate cell structure

!Fast switching times

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 25 µA

800

2.5

! Switch-mode and resonant-mode

power supplies

V_GS(th)

4.5

! Flyback inverters

! DC choppers

! High frequency matching

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

25 µA

500 µA

Advantages

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 500 mA

9.5

Ω

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

! Space savings

! High power density

DS98822C(11/03)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY1N80P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXTY1N80P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXTY1R4N100P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTY1R4N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY1R4N120P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY1R4N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY1R4N120PHV	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY1R4N120PHV	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY1R4N120PHV_V01	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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