IXTY1N80P

更新时间： 2024-11-06 13:08:55

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
2页	62K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, PLASTIC PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTY1N80P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	75 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	14 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	2 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Pure Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTY1N80P 数据手册

IXTA 1N80

IXTP 1N80

IXTY1N80

V_DSS

I_D25

R_DS(on)= 11

= 800

= 750 mA

High Voltage MOSFET

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheEnergyRated

Ω

Preliminary Data

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-220AB(IXTP)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

800

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

D (TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

750

TO-263AA(IXTA)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_AR

1.0

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

D (TAB)

100

TO-252 AA (IXTY)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 47 Ω

V/ns

P_D

T_C= 25°C

T_J

-55 ... +150

150

°C

D (TAB)

T_JM

T_stg

-55 ... +150

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-252

TO-263

0.8

Features

!International standard packages

!High voltage, Low R_{DS (on)}HDMOS^TM

process

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

!Rugged polysilicon gate cell structure

!Fast switching times

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 25 µA

800

2.5

! Switch-mode and resonant-mode

power supplies

V_GS(th)

4.5

! Flyback inverters

! DC choppers

! High frequency matching

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

25 µA

500 µA

Advantages

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 500 mA

9.5

Ω

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

! Space savings

! High power density

DS98822C(11/03)

中文翻译

下载PDF

与IXTY1N80P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY1R4N100P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTY1R4N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY1R4N120P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY1R4N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY1R4N120PHV	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY1R4N120PHV	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY1R4N120PHV_V01	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY1R4N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY1R6N100D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTY1R6N100D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电

与IXTY1N80P相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTY1N80P

IXTY1N80P 技术参数

IXTY1N80P 数据手册

与IXTY1N80P相关器件

与IXTY1N80P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTY1N80P

IXTY1N80P 技术参数

IXTY1N80P 数据手册

与IXTY1N80P相关器件

与IXTY1N80P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？