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IXTY1N80P

更新时间： 2024-11-18 20:05:15

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	331K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, PLASTIC PACKAGE-3

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IXTY1N80P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	75 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	14 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	2 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Pure Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTY1N80P 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar^TM

Power MOSFET

IXTU1N80P

IXTY1N80P

IXTA1N80P

IXTP1N80P

V_DSS= 800V

I_D25= 1A

R_DS(on) 14

TO-251 (IXTU)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

D (Tab)

TO-252 (IXTY)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

800

D (Tab)

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

TO-263 (IXTA)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

D (Tab)

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

TO-220 (IXTP)

I_A

T_C= 25C

E_AS

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

D (Tab)

T_J

-55 ... +150

150

C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_JM

T_stg

Tab = Drain

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features



International Standard Packages

Low Q_G

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263 & TO-251)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in



Weight

TO-251

TO-252

TO-263

TO-220

0.40

0.35

2.50

3.00

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 50μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

800

Applications

2.0

4.0



DC-DC Converters

Switch-Mode and Resonant-Mode



100 nA

A

Power Supplies

AC and DC Motor Drives

I_DSS



T_J= 125C

30 A



Discharge Circiuts in Lasers, Spark

Igniters, RF Generators

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1







High Voltage Pulse Power

Applications

DS100112A(6/17)

12 3 4 5 6

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与IXTY1N80P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY1R4N100P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTY1R4N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY1R4N120P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY1R4N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY1R4N120PHV	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY1R4N120PHV	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY1R4N120PHV_V01	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY1R4N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY1R6N100D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTY1R6N100D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电

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