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IXTY18P10T

更新时间： 2024-11-18 19:46:47

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	289K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, PLASTIC PACKAGE-3

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IXTY18P10T 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.12 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	83 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Pure Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTY18P10T 数据手册

TrenchP^TM

Power MOSFET

V_DSS= - 100V

I_D25= - 18A

IXTY18P10T

IXTA18P10T

IXTP18P10T

R_DS(on)



120m

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

TO-263 (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

- 100

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

15

25

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

-18

- 60

D (Tab)

I_A

E_AS

T_C= 25C

-18

200

P_D

T_C= 25C

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

^International Standard Packages

^Avalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in

Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

^Extended FBSOA

^Fast Intrinsic Diode



Low R_DS(ON)and Q_G

Advantages



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250A

V_DS= V_GS, I_D= - 250A

V_GS= 15V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

-100

- 2.5

- 4.5

Applications

50 nA



High-Side Switching

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

Current Regulators

Battery Charger Applications



I_DSS

- 3 A

-100 A



T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

120 m



DS99966D(8/17)

12 3 4 5 6

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IXTY18P10T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP18P10T	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTA18P10T	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY18P10T-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY1N100P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTY1N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY1N100P-TRL	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY1N120P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY1N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY1N120P_V01	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY1N80	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTY1N80P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXTY1N80P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-

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