Datasheet > IXTY18P10T

IXTY18P10T

更新时间： 2024-11-05 19:46:47

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	289K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, PLASTIC PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTY18P10T 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.12 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	83 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Pure Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTY18P10T 数据手册

TrenchP^TM

Power MOSFET

V_DSS= - 100V

I_D25= - 18A

IXTY18P10T

IXTA18P10T

IXTP18P10T

R_DS(on)



120m

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

TO-263 (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

- 100

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

15

25

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

-18

- 60

D (Tab)

I_A

E_AS

T_C= 25C

-18

200

P_D

T_C= 25C

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

^International Standard Packages

^Avalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in

Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

^Extended FBSOA

^Fast Intrinsic Diode



Low R_DS(ON)and Q_G

Advantages



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250A

V_DS= V_GS, I_D= - 250A

V_GS= 15V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

-100

- 2.5

- 4.5

Applications

50 nA



High-Side Switching

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

Current Regulators

Battery Charger Applications



I_DSS

- 3 A

-100 A



T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

120 m



DS99966D(8/17)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

IXTY18P10T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP18P10T	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTA18P10T	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

与IXTY18P10T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY18P10T-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY1N100P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTY1N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY1N100P-TRL	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY1N120P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY1N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY1N120P_V01	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY1N80	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTY1N80P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXTY1N80P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-

与IXTY18P10T相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTY18P10T

IXTY18P10T 技术参数

IXTY18P10T 数据手册

IXTY18P10T 替代型号

与IXTY18P10T相关器件

与IXTY18P10T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTY18P10T

IXTY18P10T 技术参数

IXTY18P10T 数据手册

IXTY18P10T 替代型号

与IXTY18P10T相关器件

与IXTY18P10T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？