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IXTX90P20P

更新时间： 2024-11-18 12:27:43

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5页	130K
描述
PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTX90P20P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.53
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	3500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	90 A
最大漏极电流 (ID)：	90 A	最大漏源导通电阻：	0.044 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	890 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	270 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTX90P20P 数据手册

PolarP^TM

Power MOSFETs

V_DSS= - 200V

I_D25= - 90A

IXTK90P20P

IXTX90P20P

R_DS(on)

≤

44mΩ

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXTK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

- 200

Tab

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

PLUS247 (IXTX)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

- 90

- 270

I_A

E_AS

T_C= 25°C

- 90

3.5

Tab

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

890

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Force

Mounting Torque

(PLUS247)

(TO-264)

20..120 / 4.5..27

N/lb.

Nm/lb.in.

Features

1.13 / 10

^zInternational Standard Packages

^zRugged PolarP^TMProcess

^zAvalanche Rated

Weight

PLUS247

TO-264

^zFast Intrinsic Diode

^zLow Package Inductance

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

- 200

- 2.0

Typ.

Max.

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250μA

V_DS= V_GS, I_D= -1mA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

- 4.0

±100 nA

Applications

I_DSS

- 50 μA

- 250 μA

High-Side Switches

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

44 mΩ

Current Regulators

DS99933C(01/13)

12 3 4 5

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IXTX90P20P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTK90P20P	IXYS	功能相似	PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

与IXTX90P20P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY01N100	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
IXTY01N100	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTY01N100D	IXYS	获取价格	N-Channel, Depletion Mode High Voltage MOSFET
IXTY01N100D	LITTELFUSE	获取价格	与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件
IXTY01N80	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTY02N120P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTY02N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY02N50D	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
IXTY02N50D	LITTELFUSE	获取价格	与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件
IXTY03N90PHV	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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