IXTY01N100D

更新时间： 2024-11-05 03:13:39

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
2页	93K
描述
N-Channel, Depletion Mode High Voltage MOSFET

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IXTY01N100D 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	3.85
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	最大漏源导通电阻：	110 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	0.4 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Pure Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTY01N100D 数据手册

IXTP 01N100D

IXTU 01N100D

IXTY 01N100D

V_DSS= 1000 V

I_D25= 100 mA

R_DS(on)= 110 Ω

High Voltage MOSFET

N-Channel,DepletionMode

PreliminaryDataSheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-220 (IXTP)

V_DSX

V_DGX

T_J= 25°C to 150°C

1000

V_GS

Continuous

Transient

± 20

± 30

D (TAB)

V_GSM

I_DSS

I_DM

T_C= 25°C; T_J= 25°C to 150°C

100

400

T_C= 25°C, pulse width limited by T_J

TO-251 (IXTU)

P_D

T_C= 25°C

T_A= 25°C

1.1

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

D (TAB)

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

Plastic case for 10 s (IXTU)

300

°C

T_ISOL

M_d

TO-252 (IXTY)

Mounting torque

TO-220

1.3 / 10 Nm/lb.

Weight

TO-220

TO-251

TO-252

0.8

D (TAB)

Pins: 1 - Gate

2 - Drain

3 - Source TAB - Drain

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

min. typ. max.

Features

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

^zNormally ON mode

V_DSX

V_GS(off)

V_GS= -10 V, I_D= 25 μA

V_DS= 25V, I_D= 25 μA

1000

-2.5

^zLow R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

^zRuggedpolysilicongatecellstructure

^zFastswitchingspeed

-5

I_GSS

V_GS= ± 20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

I_DSX(off)

V_DS= V_DSX,V_GS= -10 V

10 μA

Applications

T_J= 125°C

Note 1

250 μA

Level shifting

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0 V, I_D= 50 mA

V_GS= 0 V, V_DS= 25V

110

Triggers

Solid state relays

Note 1

100

Currentregulators

98809B (01/06)

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IXTY01N100D 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTU01N100D	IXYS	功能相似	N-Channel, Depletion Mode High Voltage MOSFET
IXTP01N100D	IXYS	功能相似	High Voltage MOSFET

与IXTY01N100D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY01N80	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTY02N120P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTY02N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY02N50D	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
IXTY02N50D	LITTELFUSE	获取价格	与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件
IXTY03N90PHV	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY05N100	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 1000V, 17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTY05N100	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTY08N100D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTY08N100D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电

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