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IXTP01N100D

更新时间: 2024-01-12 00:37:29
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
2页 54K
描述
High Voltage MOSFET

IXTP01N100D 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220AD
包装说明:TO-220AD, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:3.94
Samacsys Description:Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AD外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:1000 V
最大漏极电流 (ID):0.1 A最大漏源导通电阻:110 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AD
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):25 W最大脉冲漏极电流 (IDM):0.4 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Pure Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON

IXTP01N100D 数据手册

 浏览型号IXTP01N100D的Datasheet PDF文件第2页 
IXTP 01N100D  
VDSS = 1000 V  
ID25 = 100 mA  
RDS(on) = 110 Ω  
High Voltage MOSFET  
N-Channel,DepletionMode  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-220AB(IXTP)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
1000  
1000  
V
V
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
VGS  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
B)  
VGSM  
G
D
S
ID25  
IDM  
TC = 25°C;TJ = 25°C to 150°C  
100  
400  
mA  
mA  
TC = 25°C, pulse width limited by TJ  
PD  
TC = 25°C  
TA = 25°C  
25  
1.1  
W
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
Features  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
l Normally ON mode  
l Low RDS (on) HDMOSTM process  
l Ruggedpolysilicongatecellstructure  
l Fastswitchingspeed  
TL  
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Weight  
1
g
Applications  
l
Levelshifting  
l
Triggers  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
l
Solid state relays  
l
min. typ. max.  
Currentregulators  
VDSS  
VGS = -10 V, ID = 25 µA  
VDS = 25V, ID = 25 µA  
1000  
-2.5  
V
V
VGS(off)  
-5  
IGSS  
VGS = ±20 VDC, VDS = 0  
±100 nA  
IDSS(off)  
VDS = VDSS,VGS = -10 V  
TJ = 25°C  
10 µA  
TJ = 125°C  
250 µA  
RDS(on)  
VGS = 0 V, ID = 50 mA Note 1  
90  
110  
ID(on)  
VGS = 0 V, VDS = 50V Note 1  
250  
mA  
© 2001 IXYS All rights reserved  
98809A (12/01)  

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