是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-220AD |
包装说明: | TO-220AD, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 3.94 |
Samacsys Description: | Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AD | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 1000 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.1 A | 最大漏源导通电阻: | 110 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AD |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 0.4 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Pure Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTU01N100D | IXYS |
功能相似 |
N-Channel, Depletion Mode High Voltage MOSFET | |
IXTY01N100D | IXYS |
功能相似 |
N-Channel, Depletion Mode High Voltage MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTP02N120P | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTP02N120P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTP02N50D | IXYS |
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High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode | |
IXTP02N50D | LITTELFUSE |
获取价格 |
与普通的增强型MOSFET不同,耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。 因此,这种器件 | |
IXTP03N90P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTP05N100 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage MOSFET | |
IXTP05N100 | LITTELFUSE |
获取价格 |
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路、脉 | |
IXTP05N100M | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTP05N100P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1000V, 30ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTP05N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1000V, 30ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |