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IXTP08N120P

更新时间： 2024-11-06 14:56:51

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
5页	282K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

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IXTP08N120P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	80 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.8 A	最大漏极电流 (ID)：	0.8 A
最大漏源导通电阻：	25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1.8 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTP08N120P 数据手册

Polar^TM

Power MOSFET

IXTA08N120P

IXTP08N120P

V_DSS= 1200V

I_D25= 0.8A

R_DS(on) 25

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25C to 150C

1200

TO-220 (IXTP)

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

0.8

1.8

T_C= 25C, pulse width limited by T_JM

D (Tab)

I_A

E_AS

T_C= 25C

0.8

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

dV/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

Features



International Standard Packages

Low Q_G

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

N/lb

Nm/lb.in

1.13 / 10

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



DC-DC Converters

Switch-Mode and Resonant-Mode

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 100μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

1200



Power Supplies

AC and DC Motor Drives

2.5

4.5





Discharge Circiuts in Lasers, Spark

Igniters, RF Generators

50 nA

A



I_DSS



High Voltage Pulse Power

T_J= 125C

100 A

Applications

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

20.5

25.0 

DS99868B(06/18)

12 3 4 5

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与IXTP08N120P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP08N50D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTP08N50D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTP100N04T2	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET
IXTP100N04T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTP100N15X4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低
IXTP100N15X4A	LITTELFUSE	获取价格	这些IXTP100N15X4A器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻RDS(o
IXTP102N15T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP102N15T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTP10N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP10N60P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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