是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | TO-220, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 8.31 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 80 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 1000 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.8 A | 最大漏极电流 (ID): | 0.8 A |
最大漏源导通电阻: | 20 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 42 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 1.8 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTY08N100P | IXYS |
功能相似 |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTP08N120P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1200V, 25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTP08N120P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTP08N50D2 | IXYS |
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Depletion Mode MOSFET | |
IXTP08N50D2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 | |
IXTP100N04T2 | IXYS |
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Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET | |
IXTP100N04T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXTP100N15X4 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低 | |
IXTP100N15X4A | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些IXTP100N15X4A器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,打造出电阻RDS(o | |
IXTP102N15T | IXYS |
获取价格 |
Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTP102N15T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 |