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IXTP100N04T2

更新时间： 2024-11-21 12:27:43
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
6页 209K
描述
Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET

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IXTP100N04T2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：4.54其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：300 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A最大漏极电流 (ID)：100 A
最大漏源导通电阻：0.007 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IXTP100N04T2 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TrenchT2TM  
Power MOSFET  
IXTA100N04T2  
IXTP100N04T2  
VDSS = 40V  
ID25 = 100A  
RDS(on) ≤ 7mΩ  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 (IXTA)  
G
S
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
(TAB)  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
40  
40  
V
V
VDGR  
TO-220 (IXTP)  
VGSM  
Transient  
± 20  
V
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
100  
75  
A
A
A
300  
G
D
S
(TAB)  
IAR  
EAS  
PD  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
50  
300  
150  
A
mJ  
W
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
TJ  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
Features  
TJM  
Tstg  
z International standard packages  
z Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062in.) from case for 10s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
z Low package inductance  
z 175°C Operating Temperature  
z High current handling capability  
Md  
Mounting torque (TO-220)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
Weight  
TO-263  
TO-220  
2.5  
3.0  
g
g
z
ROHS Compliant  
High performance Trench  
z
Technology for extremely low RDS(on)  
Advantages  
z
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
Synchronous  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
z
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
40  
V
V
z
2.0  
4.0  
Applications  
±100 nA  
μA  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0V  
2
• Synchronous Buck Converters  
• High Current Switching Power  
TJ = 150°C  
50 μA  
7 mΩ  
Supplies  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 25A, Notes 1, 2  
• Battery Powered Electric Motors  
• Resonant-mode power supplies  
• Electronics Ballast Application  
• Class D Audio Amplifiers  
DS99972(4/08)  
© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
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IXTP100N04T2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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