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IXTA100N04T2

更新时间： 2024-11-18 12:02:23

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Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET

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IXTA100N04T2 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchT2^TM

Power MOSFET

IXTA100N04T2

IXTP100N04T2

V_DSS= 40V

I_D25= 100A

R_DS(on)≤ 7mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

(TAB)

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

V_DGR

TO-220 (IXTP)

V_GSM

Transient

± 20

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

100

300

(TAB)

I_AR

E_AS

P_D

T_C= 25°C

300

150

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_J

-55 ... +175

175

°C

Features

T_JM

T_stg

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

^zLow package inductance

^z175°C Operating Temperature

^zHigh current handling capability

M_d

Mounting torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

ROHS Compliant

High performance Trench

Technology for extremely low R_DS(on)

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Synchronous

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

2.0

4.0

Applications

±100 nA

μA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

• Synchronous Buck Converters

• High Current Switching Power

T_J= 150°C

50 μA

7 mΩ

Supplies

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 25A, Notes 1, 2

• Battery Powered Electric Motors

• Resonant-mode power supplies

• Electronics Ballast Application

• Class D Audio Amplifiers

DS99972(4/08)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP100N04T2	IXYS	类似代替	Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET

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