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IXTA10P50P

更新时间： 2024-09-11 14:56:47
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关栅栅极
页数 文件大小 规格书
7页 209K
描述
Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(RDSon)显著降低30%，并将栅极电荷(Qg)降低40%，从而降低了传导损失，并能提供出色的开关性能。

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IXTA10P50P 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.72Is Samacsys：N
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：2
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

IXTA10P50P 数据手册

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PolarPTM  
Power MOSFET  
IXTA10P50P  
IXTP10P50P  
IXTQ10P50P  
IXTH10P50P  
VDSS = - 500V  
ID25 = - 10A  
RDS(on)  
1  
P-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 AA (IXTA)  
TO-220AB (IXTP)  
TO-3P (IXTQ)  
G
S
G
D
S
G
D
D (Tab)  
S
D (Tab)  
D (Tab)  
TO-247 (IXTH)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 150C  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
- 500  
- 500  
V
V
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G
D
S
D (Tab)  
D = Drain  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
- 10  
- 30  
A
A
G = Gate  
S = Source  
Tab = Drain  
IA  
EAS  
TC = 25C  
TC = 25C  
- 10  
1.5  
A
J
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150C  
TC = 25C  
10  
V/ns  
W
300  
Features  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
C  
C  
C  
International Standard Packages  
Avalanche Rated  
Rugged PolarPTM Process  
Low Package Inductance  
Fast Intrinsic Diode  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
C  
C  
Md  
Mounting Torque (TO-3P,TO-220 & TO-247)  
1.13/10  
Nm/lb.in  
Weight  
TO-263  
TO-220  
TO-3P  
2.5  
3.0  
5.5  
6.0  
g
g
g
g
Advantages  
TO-247  
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
- 500  
- 2.0  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = - 250A  
VDS = VGS, ID = - 250A  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
High-Side Switches  
Push Pull Amplifiers  
DC Choppers  
Automatic Test Equipment  
- 4.5  
100 nA  
IDSS  
- 10 A  
- 250 A  
Current Regulators  
TJ = 125C  
RDS(on)  
VGS = -10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
1
DS99911D(2/15)  
© 2015 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

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与IXTA10P50P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTA110N055P IXYS

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 		PolarHT Power MOSFET
IXTA110N055T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA110N055T2 IXYS

获取价格

 		DC to DC Synchronous Converter Design
IXTA110N055T2 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA110N055T2-TRL IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA110N055T7 IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor, 112A I(D), 55V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA110N055T7 LITTELFUSE

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 		Power Field-Effect Transistor,
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 		Power Field-Effect Transistor,

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