Datasheet > IXTP10P15T

IXTP10P15T

更新时间： 2024-11-18 20:52:23

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
7页	293K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTP10P15T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.39
Base Number Matches：	1

IXTP10P15T 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchP^TM

Power MOSFET

V_DSS= - 150V

I_D25= - 10A

IXTY10P15T

IXTA10P15T

IXTP10P15T

R_DS(on)



350m

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

TO-263 (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

- 150

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

15

25

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

- 10

- 30

D (Tab)

I_A

E_AS

T_C= 25C

- 10

200

P_D

T_C= 25C

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

^International Standard Packages

^Avalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in

Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

^Extended FBSOA

^Fast Intrinsic Diode



Low R_DS(ON)and Q_G

Advantages



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250A

V_DS= V_GS, I_D= - 250A

V_GS= 15V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

-150

- 2.0

- 4.5

Applications

50 nA



High-Side Switching

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

Current Regulators

Battery Charger Applications



I_DSS

- 3 A

- 100 A



T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

350 m



DS100290A(8/17)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXTP10P15T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP10P50P	IXYS	获取价格	PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP10P50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
IXTP110N055P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTP110N055T2	IXYS	获取价格	DC to DC Synchronous Converter Design
IXTP110N055T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTP110N12T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTP11P15	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 11A I(D) \| TO-220
IXTP11P20	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 11A I(D) \| TO-220
IXTP120N04T2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP120N04T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0061ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与IXTP10P15T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTP10P15T

IXTP10P15T 技术参数

IXTP10P15T 数据手册

与IXTP10P15T相关器件

与IXTP10P15T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTP10P15T

IXTP10P15T 技术参数

IXTP10P15T 数据手册

与IXTP10P15T相关器件

与IXTP10P15T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？