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IXTP100N15X4A

更新时间： 2024-11-17 14:56:47

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅存储栅极
页数	文件大小	规格书
6页	262K
描述
这些IXTP100N15X4A器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低的功率MOSFET。较低的通态电阻可减少传导损失；还能减少存储在输出电容中的能量

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IXTP100N15X4A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.34
Base Number Matches：	1

IXTP100N15X4A 数据手册

Advance Technical Information

X4-Class

V_DSS= 150V

I_D25= 100A

R_DS(on) 11.5m

IXTP100N15X4A

Power MOSFET^TM

AEC Q101 Qualified

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-220

(IXTP)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 175C

150

D (Tab)

V_DGR

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

100

180

I_A

T_C= 25C

E_AS

800

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

Features

375



International Standard Package

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated

T_J

-55 ... +175

175

C



T_JM

T_stg

-55 ... +175

Low Package Inductance

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Advantages

M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Weight



Applications



Switch-Mode and Resonant-Mode

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

150



2.5

4.5



Robotics and Servo Controls

100 nA

I_DSS

10 A

T_J= 150C

500 A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

9.2

11.5 m

DS100937A(9/18)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP102N15T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP102N15T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTP10N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP10N60P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP10N60PM	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET
IXTP10N60PM	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP10N60PMVDSS	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP10P15T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTP10P15T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP10P50P	IXYS	获取价格	PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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