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IXTP100N15X4

更新时间： 2024-11-06 14:56:11

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关栅存储栅极
页数	文件大小	规格书
7页	266K
描述
这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低的功率MOSFET。较低的通态电阻可减少传导损失；还能减少存储在输出电容中的能量，最大限度地减少开关损耗。

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IXTP100N15X4 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.34
Base Number Matches：	1

IXTP100N15X4 数据手册

X4-Class

V_DSS= 150V

I_D25= 100A

R_DS(on) 11.5m

IXTA100N15X4

IXTP100N15X4

Power MOSFET^TM

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263

(IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25C to 175C

150

TO-220

(IXTP)

V_DGR

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

100

180

D (Tab)

I_A

T_C= 25C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

E_AS

800

V/ns

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

375

Features

T_J

-55 ... +175

175

C

T_JM

T_stg



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

-55 ... +175



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Avalanche Rated

Low Package Inductance

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

Advantages

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

150



2.5

4.5



100 nA



I_DSS

10 A

T_J= 150C

500 A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Notes 1 & 2

9.2

11.5 m

DS100903B(11/19)

12 3 4 5 6 7

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