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IXTP05N100

更新时间： 2024-11-05 03:13:39

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4页	537K
描述
High Voltage MOSFET

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IXTP05N100 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.75 A	最大漏极电流 (ID)：	0.75 A
最大漏源导通电阻：	17 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	3 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTP05N100 数据手册

IXTA 05N100

IXTP 05N100

V_DSS

I_D25

= 1000 V

= 750 mA

High Voltage MOSFET

N-ChannelEnhancementMode

R_DS(on)= 17 Ω

AvalancheEnergyRated

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-220AB(IXTP)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

1000

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

D (TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

750

TO-263AA(IXTA)

I_AR

1.0

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

100

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 47 Ω

V/ns

D (TAB)

P_D

T_C= 25°C

G = Gate,

D = Drain,

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

S = Source,

TAB = Drain

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Weight

yInternational standard packages

yHigh voltage, Low R_{DS (on)}HDMOS^TM

process

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

yRugged polysilicon gate cell structure

yFast switching times

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

y Switch-mode and resonant-mode

power supplies

y Flyback inverters

y DC choppers

y High frequency matching

V_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 25 µA

1000

2.5

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

100 nA

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T = 25°C

25 µA

T_J^J= 125°C

500 µA

Advantages

y Space savings

y High power density

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 375 mA

Ω

P^Gu^Slse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS98736B(10/04)

12 3 4

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IXTP05N100 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTU05N100	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 1000V, 17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA05N100	IXYS	功能相似	High Voltage MOSFET

与IXTP05N100相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP05N100M	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP05N100P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1000V, 30ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP05N100P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1000V, 30ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP06N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP08N100D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTP08N100D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTP08N100P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1000V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP08N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP08N120P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1200V, 25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP08N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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