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IXTP05N100M

更新时间： 2024-11-05 21:22:07

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力特 - LITTELFUSE		/
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5页	110K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTP05N100M 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
Base Number Matches：	1

IXTP05N100M 数据手册

V_DSS= 1000V

I_D25= 700mA

R_DS(on)≤ 17Ω

High Voltage MOSFET

IXTP05N100M

(Electrically Isolated Tab)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

OVERMOLDED TO-220

(IXTP...M) OUTLINE

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1 MΩ

1000

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

Isolated Tab

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

700

I_A

E_AS

T_C= 25°C

100

G = Gate

S = Source

D = Drain

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J=150°C

T_C= 25°C

V/ns

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

Features

^ꢀPlastic overmolded tab for electrical

isolation

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

^ꢀInternational standard package

^ꢀAvalanche rated

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

^ꢀLow package inductance

- easy to drive and to protect

Weight

2.5

Advantages

ꢀ

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Easy to mount

Space savings

High power density

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

ꢀ

BV_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 25μA

1000

2.5

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

±100 nA

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

25 μA

500 μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 375mA, Note 1

DS100014A(08/08)

12 3 4 5

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