5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXTP06N120P
IXTP06N120P PDF预览

IXTP06N120P

更新时间： 2024-09-16 14:56:43
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
5页 290K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。 这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXTP06N120P 数据手册

 浏览型号IXTP06N120P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTP06N120P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTP06N120P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTP06N120P的Datasheet PDF文件第5页 
PolarTM  
Power MOSFET  
VDSS = 1200V  
ID25 = 0.6A  
RDS(on) 34  
IXTA06N120P  
IXTP06N120P  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 (IXTA)  
G
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-220 (IXTP)  
TJ = 25C to 150C  
1200  
1200  
V
V
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
G
D
ID25  
IDM  
TC = 25C  
0.6  
1.2  
A
A
S
D (Tab)  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
IA  
EAS  
TC = 25C  
TC = 25C  
0.6  
50  
A
mJ  
Tab = Drain  
dV/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150C  
TC = 25C  
10  
42  
V/ns  
W
Features  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
C  
C  
C  
International Standard Packages  
Low QG  
Avalanche Rated  
Low Package Inductance  
Fast Intrinsic Rectifier  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
FC  
Md  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-220)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb  
Nm/lb.in  
Advantages  
Weight  
TO-263  
TO-220  
2.5  
3.0  
g
g
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Applications  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min. Typ.  
1200  
2.0  
Max.  
DC-DC Converters  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250A  
VDS = VGS, ID = 50A  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
Power Supplies  
AC and DC Motor Drives  
4.0  
            50 nA  
A  
125 A  
34  
V
Discharge Circiuts in Lasers, Spark  
Igniters, RF Generators  
IDSS  
3
  
High Voltage Pulse Power  
TJ = 125C  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
Applications  
RDS(on)  
27  
DS99872E(6/18)  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
12345

中文翻译

下载PDF

与IXTP06N120P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTP08N100D2 IXYS

获取价格

 		Depletion Mode MOSFET
IXTP08N100D2 LITTELFUSE

获取价格

 		不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTP08N100P IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1000V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP08N100P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP08N120P IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1200V, 25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP08N120P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP08N50D2 IXYS

获取价格

 		Depletion Mode MOSFET
IXTP08N50D2 LITTELFUSE

获取价格

 		不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTP100N04T2 IXYS

获取价格

 		Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET
IXTP100N04T2 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能

与IXTP06N120P相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证