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IXTP05N100P

更新时间： 2024-11-16 21:17:39

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	157K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1000V, 30ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3

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IXTP05N100P 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	50 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.5 A	最大漏极电流 (ID)：	0.5 A
最大漏源导通电阻：	30 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1.25 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTP05N100P 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar^TM

Power MOSFET

V_DSS= 1000V

I_D25= 0.5A

R_DS(on)≤ 30Ω

IXTA05N100P

IXTP05N100P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-263 AA (IXTA)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

1000

D (Tab)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

TO-220AB (IXTP)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

0.5

1.25

I_A

E_AS

T_C= 25°C

0.5

D (Tab)

= Drain

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

^zFast Intrinsic Diode

^zDynamic dv/dt Rated

^zLow Package Inductance

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

2.0

Typ.

Max.

^zSpace Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 50μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

4.0

Applications

± 50 nA

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

10 μA

750 μA

T_J= 125°C

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

DS100272A(12/10)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP06N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP08N100D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTP08N100D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTP08N100P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1000V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP08N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP08N120P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1200V, 25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP08N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP08N50D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTP08N50D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
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