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IXTA05N100

更新时间: 2024-11-05 03:13:43
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
4页 537K
描述
High Voltage MOSFET

IXTA05N100 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Transferred
零件包装代码:D2PAK包装说明:TO-263AA, 3/2 PIN
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:8.44
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):100 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:1000 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.75 A
最大漏极电流 (ID):0.75 A最大漏源导通电阻:17 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-263AA
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):40 W最大脉冲漏极电流 (IDM):3 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IXTA05N100 数据手册

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IXTA 05N100  
IXTP 05N100  
VDSS  
ID25  
= 1000 V  
= 750 mA  
High Voltage MOSFET  
N-ChannelEnhancementMode  
RDS(on) = 17 Ω  
AvalancheEnergyRated  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-220AB(IXTP)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
1000  
1000  
V
V
VGS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
B)  
G
D
S
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
750  
3
mA  
A
TO-263AA(IXTA)  
IAR  
1.0  
A
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
5
100  
mJ  
mJ  
G
dv/dt  
IS IDM, di/dt 100 A/µs, VDD VDSS  
TJ 150°C, RG = 47 Ω  
3
V/ns  
S
D (TAB)  
PD  
TC = 25°C  
40  
W
G = Gate,  
D = Drain,  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
S = Source,  
TAB = Drain  
Md  
Mounting torque  
1.13/10 Nm/lb.in.  
Features  
Weight  
4
g
yInternational standard packages  
yHigh voltage, Low RDS (on) HDMOSTM  
process  
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
yRugged polysilicon gate cell structure  
yFast switching times  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
Applications  
y Switch-mode and resonant-mode  
power supplies  
y Flyback inverters  
y DC choppers  
y High frequency matching  
VDSS  
VGS(th)  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 25 µA  
1000  
2.5  
V
V
4.5  
IGSS  
IDSS  
VGS = 30 VDC, VDS = 0  
100 nA  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
T = 25°C  
25 µA  
TJJ = 125°C  
500 µA  
Advantages  
y Space savings  
y High power density  
RDS(on)  
V
= 10 V, ID = 375 mA  
15  
17  
PGuSlse test, t 300 µs, duty cycle d 2 %  
© 2004 IXYS All rights reserved  
DS98736B(10/04)  

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