是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | D2PAK | 包装说明: | TO-263AA, 3/2 PIN |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 8.44 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 100 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 1000 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.75 A |
最大漏极电流 (ID): | 0.75 A | 最大漏源导通电阻: | 17 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 3 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTU05N100 | IXYS |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 1000V, 17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTP05N100 | IXYS |
功能相似 |
High Voltage MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA05N100HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路、脉 | |
IXTA05N100HVTRL | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 1000V, 17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTA05N100P | IXYS |
获取价格 |
Fast Intrinsic Diode | |
IXTA05N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTA05N100P_V01 | IXYS |
获取价格 |
Fast Intrinsic Diode | |
IXTA05N100-TRL | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA06N120P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 1200V, 34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTA06N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTA08N100D2 | IXYS |
获取价格 |
Depletion Mode MOSFET | |
IXTA08N100D2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 |