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IXTP02N50D

更新时间： 2024-11-21 03:13:39

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描述
High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode

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IXTP02N50D 数据手册

IXTP 02N50D

IXTU 02N50D

IXTY 02N50D

V_DSS= 500 V

I_D25= 200 mA

R_DS(on)= 30 Ω

High Voltage MOSFET

N-Channel, Depletion Mode

PreliminaryDataSheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-220 (IXTP)

V_DSX

V_DGX

T_J= 25°C to 150°C

500

V_GS

Continuous

Transient

± 20

± 30

D (TAB)

V_GSM

I_DSS

I_DM

T_C= 25°C; T_J= 25°C to 150°C

200

800

T_C= 25°C, pulse width limited by T_J

TO-251 (IXTU)

P_D

T_C= 25°C

T_A= 25°C

1.1

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

D (TAB)

-55 ... +150

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

Plastic case for 10 s (IXTU)

300

°C

T_ISOL

M_d

TO-252 (IXTY)

Mounting torque

TO-220

1.3 / 10 Nm/lb.

Weight

TO-220

TO-251

TO-252

0.8

D (TAB)

Pins: 1 - Gate

2 - Drain

3 - Source TAB - Drain

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

min. typ. max.

Features

^zNormally ON mode

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

^zLow R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

^zRugged polysilicon gate cell structure

^zFast switching speed

V_DSX

V_GS(off)

V_GS= -10 V, I_D= 25 μA

V_DS= 25V, I_D= 25 μA

500

-2.5

-5

I_GSS

V_GS= ± 20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

Applications

I_DSX(off)

V_DS= V_DSS,V_GS= -10 V

10 μA

T_J= 125°C

Note 1

250 μA

Level shifting

Triggers

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0 V, I_D= 50 mA

V_GS= 0 V, V_DS= 25V

Solid state relays

Note 1

250

Current regulators

98861A (01/06)

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IXTP02N50D 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTU02N50D	IXYS	功能相似	High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
IXTY02N50D	IXYS	功能相似	High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode

与IXTP02N50D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP03N90P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP05N100	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTP05N100	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTP05N100M	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP05N100P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1000V, 30ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP05N100P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1000V, 30ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP06N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP08N100D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTP08N100D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTP08N100P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1000V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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