Datasheet > IXTP05N100

IXTP05N100

更新时间： 2024-11-19 14:56:47

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关高压脉冲电源开关调节器
页数	文件大小	规格书
6页	218K
描述
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉冲电路和电流调节器。功能与特色: 应用: 优点:

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTP05N100 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
Base Number Matches：	1

IXTP05N100 数据手册

V_DSS= 1000V

I_D25= 750mA

R_DS(on) 17

IXTA05N100HV

IXTA05N100

IXTP05N100

High Voltage

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263HV (IXTA)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-263 AA (IXTA)

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

1000

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

750

TO-220AB (IXTP)

I_A

E_AS

T_C= 25C

100

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J150C

T_C= 25C

V/ns

D (Tab)

= Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in



High Voltage Package (TO-263HV)

Fast Switching Times

Avalanche Rated

R_ds(on)HDMOS^TMProcess

Rugged Polysilicon Gate Cell structure

Extended FBSOA

Weight

TO-220

TO-263

TO-263HV

3.0

2.5



Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



High Power Density

Space Savings

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

2.5

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS=  30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

4.5



100 nA

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

Flyback Inverters

DC Choppers

I_DSS

25 A

500 A



T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 375mA, Note 1



DS98736F(5/14)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXTP05N100相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP05N100M	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP05N100P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1000V, 30ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP05N100P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1000V, 30ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP06N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP08N100D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTP08N100D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTP08N100P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1000V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP08N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP08N120P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1200V, 25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP08N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

与IXTP05N100相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTP05N100

IXTP05N100 技术参数

IXTP05N100 数据手册

与IXTP05N100相关器件

与IXTP05N100相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTP05N100

IXTP05N100 技术参数

IXTP05N100 数据手册

与IXTP05N100相关器件

与IXTP05N100相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？