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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 40 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.075 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 33 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 0.6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IXTP02N50D | IXYS | High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode |
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| IXTP02N50D | LITTELFUSE | 与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。 因此，这种器件 |
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| IXTP03N90P | LITTELFUSE | Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTP05N100 | IXYS | High Voltage MOSFET |
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| IXTP05N100 | LITTELFUSE | 高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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| IXTP05N100M | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, |
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