是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-252 |
包装说明: | PLASTIC PACKAGE-3 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.72 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 40 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 1200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.2 A | 最大漏极电流 (ID): | 0.2 A |
最大漏源导通电阻: | 0.075 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 33 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 0.6 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTP02N120P | IXYS |
完全替代 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTY02N50D | IXYS |
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High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode | |
IXTY02N50D | LITTELFUSE |
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与普通的增强型MOSFET不同,耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。 因此,这种器件 | |
IXTY03N90PHV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTY05N100 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 1000V, 17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTY05N100 | LITTELFUSE |
获取价格 |
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路、脉 | |
IXTY08N100D2 | IXYS |
获取价格 |
Depletion Mode MOSFET | |
IXTY08N100D2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 | |
IXTY08N100D2-TRL | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTY08N100P | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | |
IXTY08N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |