IXTY02N120P

更新时间： 2024-11-20 12:22:47

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
4页	134K
描述
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTY02N120P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	40 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.2 A	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	0.075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	33 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	0.6 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTY02N120P 数据手册

Advance Technical Information

Polar^TM

Power MOSFET

V_DSS= 1200V

I_D25= 0.2A

R_DS(on)≤ 75Ω

IXTP02N120P

IXTY02N120P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-220 (IXTP)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25°C to 150°C

1200

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

TO-252 (IXTY)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

0.2

0.6

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

I_A

E_AS

T_C= 25°C

0.2

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

^zLow Package Inductance

T_L

1.6mm (0.062) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-252

3.00

0.35

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

2.0

Typ.

Max.

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 100μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^zDC-DC Converters

4.0

^zLaser Drivers

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

±50 nA

μA

25 μA

I_DSS

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

DS100201(10/09)

12 3 4

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IXTY02N120P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP02N120P	IXYS	完全替代	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

与IXTY02N120P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY02N50D	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
IXTY02N50D	LITTELFUSE	获取价格	与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件
IXTY03N90PHV	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY05N100	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 1000V, 17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTY05N100	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTY08N100D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTY08N100D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTY08N100D2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY08N100P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY08N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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