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IXTY05N100

更新时间： 2024-11-05 21:09:47

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	106K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 1000V, 17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, PLASTIC PACKAGE-3

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IXTY05N100 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A
最大漏极电流 (ID)：	0.75 A	最大漏源导通电阻：	17 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	3 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTY05N100 数据手册

V_DSS= 1000V

I_D25= 750mA

R_DS(on) 17

IXTU05N100

IXTY05N100

High Voltage

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-251

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (TAB)

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

1000

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

TO-252

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

750

I_A

T_C= 25C

100

D (TAB)

E_AS

dv/dt

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J150C

V/ns

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

P_D

T_C= 25C

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



International Standard Packages

Fast Switching Times

Avalanche Rated

R_ds(on)HDMOS^TMProcess

Rugged Polysilicon Gate Cell structure

Extended FBSOA



F_C

Mounting force

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-251

TO-252

0.40

0.35

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

2.5

Typ.

Max.

High Power Density

Space Savings



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS=  30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

4.5

Applications

100 nA



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

Flyback Inverters

DC Choppers

I_DSS

25 A

500 A



T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 375mA, Note 1



DS100102A(5/14)

12 3 4 5

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