型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTY08N100P-TRL | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTY08N50D2 | IXYS |
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Depletion Mode MOSFET | |
IXTY08N50D2 | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 | |
IXTY10P15T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
IXTY10P15T | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTY12N06T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTY12N06T | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTY12N06TTRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTY14N60X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 | |
IXTY15P15T | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |