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IXTY02N50D

更新时间： 2024-11-06 14:56:23

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	233K
描述
与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件可以保持在零栅偏压或更高的栅偏压，但同时具有与类似的MOSFET相似的特性。此类产品适用于电平移动、固态

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IXTY02N50D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.46	JESD-609代码：	e3
端子面层：	Matte Tin (Sn)

IXTY02N50D 数据手册

High Voltage

Power MOSFET

V_DSX= 500V

I_D25= 200mA

IXTY02N50D

IXTU02N50D

IXTP02N50D

R_DS(on) 30

N-Channel

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

TO-251 (IXTU)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

500

V_DGX

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_J

200

800

TO-220AB (IXTP)

P_D

T_C= 25C

T_A= 25C

1.1

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

D (Tab)

= Drain

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-252

TO-251

TO-220

0.35

0.40

3.00

Features

• Normally ON Mode

• International Standard Packages

• Low R_DS(on)HDMOS^TMProcess

• Rugged Polysilicon Gate Cell Structure

• Fast Switching Speed

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= -10V, I_D= 25A

V_DS= 25V, I_D= 25A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= -10V

500

Advantages

- 2.5

- 5.0

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

100 nA

I_DSX(off)

10 A

T_J= 125C

250 A

Applications

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 50mA, Note 1

V_GS= 0V, V_DS= 25V, Note 1

30 

• Level Shifting

• Triggers

250

• Solid State Relays

• Current Regulators

DS98861C(5/17)

12 3 4

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