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IXTY05N100

更新时间： 2024-09-17 14:56:35

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关高压脉冲电源开关调节器
页数	文件大小	规格书
6页	185K
描述
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉冲电路和电流调节器。功能与特色: 应用: 优点:

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IXTY05N100 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.39	JESD-609代码：	e3
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

IXTY05N100 数据手册

V_DSS= 1000V

I_D25= 750mA

R_DS(on) 17

IXTU05N100

IXTY05N100

High Voltage

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-251

(IXTU)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (TAB)

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

1000

TO-252

(IXTY)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

750

D (TAB)

= Drain

I_A

T_C= 25C

100

G = Gate

S = Source

TAB = Drain

E_AS

dv/dt

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J150C

V/ns

P_D

T_C= 25C

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



International Standard Packages

Fast Switching Times

Avalanche Rated

R_ds(on)HDMOS^TMProcess

Rugged Polysilicon Gate Cell structure

Extended FBSOA



F_C

Mounting force

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-251

TO-252

0.40

0.35

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

2.5

Typ.

Max.

High Power Density

Space Savings



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS=  30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

4.5

Applications

100 nA



Switch-Mode and Resonant-Mode

I_DSS

25 A

500 A

Power Supplies

Flyback Inverters

DC Choppers



T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 375mA, Note 1



DS100102B(9/17)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY08N100D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTY08N100D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTY08N100D2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY08N100P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY08N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY08N100P_V01	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY08N100P-TRL	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY08N50D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTY08N50D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTY10P15T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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