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IXTY05N100

更新时间: 2024-11-21 14:56:35
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关高压脉冲电源开关调节器
页数 文件大小 规格书
6页 185K
描述
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路、脉冲电路和电流调节器。 功能与特色: 应用: 优点:

IXTY05N100 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.39JESD-609代码:e3
端子面层:Matte Tin (Sn)Base Number Matches:1

IXTY05N100 数据手册

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VDSS = 1000V  
ID25 = 750mA  
RDS(on) 17  
IXTU05N100  
IXTY05N100  
High Voltage  
Power MOSFET  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-251  
(IXTU)  
G
D
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
S
D (TAB)  
TJ = 25C to 150C  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
1000  
1000  
V
V
TO-252  
(IXTY)  
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
G
S
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
750  
3
mA  
A
D (TAB)  
= Drain  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
1
100  
3
A
mJ  
G = Gate  
S = Source  
D
TAB = Drain  
EAS  
dv/dt  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150C  
V/ns  
PD  
TC = 25C  
40  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
C  
C  
C  
Features  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
International Standard Packages  
Fast Switching Times  
Avalanche Rated  
Rds(on) HDMOSTM Process  
Rugged Polysilicon Gate Cell structure  
Extended FBSOA  
FC  
Mounting force  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
Weight  
TO-251  
TO-252  
0.40  
0.35  
g
g
Advantages  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1000  
2.5  
Typ.  
Max.  
High Power Density  
Space Savings  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250A  
VDS = VGS, ID = 250A  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
4.5  
V
Applications  
100 nA  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
IDSS  
25 A  
500 A  
Power Supplies  
Flyback Inverters  
DC Choppers  
TJ = 125C  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 375mA, Note 1  
17  
DS100102B(9/17)  
© 2017 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  

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