是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.39 | JESD-609代码: | e3 |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTY08N100D2 | IXYS |
获取价格 |
Depletion Mode MOSFET | |
IXTY08N100D2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 | |
IXTY08N100D2-TRL | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTY08N100P | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | |
IXTY08N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTY08N100P_V01 | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | |
IXTY08N100P-TRL | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTY08N50D2 | IXYS |
获取价格 |
Depletion Mode MOSFET | |
IXTY08N50D2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 | |
IXTY10P15T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |