5秒后页面跳转
IXTY03N90PHV PDF预览

IXTY03N90PHV

更新时间: 2024-11-06 14:56:47
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
6页 283K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。 这些器件包含了Polar技术平台,以实现低导通电阻(Rdson)。 Polar标准MOS

IXTY03N90PHV 数据手册

 浏览型号IXTY03N90PHV的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTY03N90PHV的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTY03N90PHV的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTY03N90PHV的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXTY03N90PHV的Datasheet PDF文件第6页 
Advance Technical Information  
PolarTM  
Power MOSFET  
IXTY03N90PHV  
IXTP03N90P  
VDSS = 900V  
ID25 = 300mA  
RDS(on) 80  
N-Channel Enhancement Mode  
TO-252  
(IXTY..HV)  
G
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 150C  
900  
900  
V
V
TO-220  
(IXTP)  
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
300  
600  
mA  
mA  
G
D
D (Tab)  
S
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
10  
28  
V/ns  
W
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
Tab = Drain  
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Features  
Md  
Mounting Torque (TO-220)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in  
International Standard Package  
High Voltage Package  
Low QG  
Weight  
TO-252HV  
TO-220  
0.35  
3.00  
g
g
Suitable for VGE = 5V Drive  
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 100μA  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
900  
V
V
Applications  
1.5  
3.0  
DC-DC Converters  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
25 nA  
Power Supplies  
AC and DC Motor Drives  
IDSS  
25 nA  
TJ = 125C  
2
A  
Discharge Circiuts in Lasers, Spark  
Igniters, RF Generators  
RDS(on)  
VGS = 5V, ID = 0.5 ID25, Note 1  
VGS = 10V, ID = 0.5 ID25, Note 1  
70  
66  
85  
80  
  
High Voltage Pulse Power  
Applications  
DS100856A(9/17)  
© 2017 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  

与IXTY03N90PHV相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTY05N100 IXYS

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 1000V, 17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTY05N100 LITTELFUSE

获取价格

高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTY08N100D2 IXYS

获取价格

Depletion Mode MOSFET
IXTY08N100D2 LITTELFUSE

获取价格

不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电
IXTY08N100D2-TRL IXYS

获取价格

Power Field-Effect Transistor,
IXTY08N100P IXYS

获取价格

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY08N100P LITTELFUSE

获取价格

Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY08N100P_V01 IXYS

获取价格

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY08N100P-TRL LITTELFUSE

获取价格

Power Field-Effect Transistor,
IXTY08N50D2 IXYS

获取价格

Depletion Mode MOSFET