IXTY01N80

更新时间： 2024-11-04 22:10:39

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High Voltage MOSFET

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IXTY01N80 数据手册

IXTU 01N80

IXTY 01N80

V_DSS

I_D25

= 800 V

= 100mA

High Voltage MOSFET

N-Channel, Enhancement Mode

R_DS(on)= 50 Ω

Preliminary data sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

01N100

TO-251 AA

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

800

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

D (TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C= 25°C; T_J= 25°C to 150°C

100

400

T_C= 25°C, pulse width limited by max. T_J

P_D

T_C= 25°C

T_J

-55 ... +150

150

°C

TO-252 AA

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 5 s

300

0.8

°C

Weight

D (TAB)

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

Features

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

^lInternationalstandardpackages

JEDEC TO-251 AA, TO-252 AA

^lLow R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

min. typ. max.

V_GS= 0 V, I_D= 25 µA

800

^lRugged polysilicon gate cell structure

^lFastswitchingtimes

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 25 µA

Applications

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

50 nA

I_DSS

V_DS= 0.8 V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

10 µA

200 µA

Levelshifting

Triggers

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_D25

Pulse test, t ≤ 300 ms, duty cycle d ≤ 2 %

Ω

Solid state relays

Current regulators

98841 (5/01)

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