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| 力特 - LITTELFUSE |  |
栅 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 7页 | 409K |  |
| 描述 | ||
| 与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。 因此，这种器件可以保持在零栅偏压或更高的栅偏压，但同时具有与类似的MOSFET相似的特性。 此类产品适用于电平移动、固态 | ||
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 80 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1.1 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 0.4 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTY01N80 | IXYS |
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High Voltage MOSFET |
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| IXTY02N120P | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTY02N120P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTY02N50D | IXYS |
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High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode |
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| IXTY02N50D | LITTELFUSE |
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与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。 因此，这种器件 |
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| IXTY03N90PHV | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTY05N100 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 1000V, 17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTY05N100 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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| IXTY08N100D2 | IXYS |
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Depletion Mode MOSFET |
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| IXTY08N100D2 | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电 |
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