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IXTX90N25L2

更新时间： 2024-11-05 12:46:27
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5页 163K
描述
LinearL2 Power MOSFET w/Extended FBSOA

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Preliminary Technical Information  
LinearL2TM Power  
MOSFET w/Extended  
FBSOA  
VDSS  
ID25  
= 250V  
= 90A  
IXTK90N25L2  
IXTX90N25L2  
RDS(on) < 33mΩ  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-264  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 150°C  
250  
250  
V
V
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ  
G
S
(TAB)  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
90  
A
A
PLUS247  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
360  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
45  
3
A
J
PD  
TC = 25°C  
960  
W
G
TJ  
-55...+150  
150  
°C  
°C  
°C  
(TAB)  
D
S
TJM  
Tstg  
-55...+150  
G = Gate  
D
= Drain  
S = Source  
TAB = Drain  
TL  
1.6mm (0.063 in.) from case for 10s  
Plastic body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
TSOLD  
Md  
FC  
Mounting torque (IXTK)  
Mounting Force (IXTX)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
N/lb.  
20..120 / 4.5..27  
Features  
Weight  
TO-264  
PLUS247  
10  
6
g
g
z Designed for linear operation  
z International standard packages  
z Avalanche rated  
z Guaranteed FBSOA at 75°C  
Advantages  
• Easy to mount  
• Space savings  
• High power density  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Min. Typ. Max.  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Applications  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 3mA  
VGS = ±20V, VDS = 0V  
250  
2.0  
V
z Solid state circuit breakers  
z Soft start controls  
z Linear amplifiers  
z Programmable loads  
z Current regulators  
4.5  
V
±200 nA  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0V  
50 μA  
2.5 mA  
TJ = 125°C  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25 , Note 1  
33 mΩ  
DS100080(11/08)  
© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
12345

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IXTX90N25L2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTK90N25L2 IXYS

完全替代

 LinearL2 Power MOSFET w/Extended FBSOA
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